[发明专利]一种基于静电诱导的图形化量子点薄膜制备方法在审
申请号: | 201710199357.0 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107058984A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 李宗涛;汤勇;余彬海;陈钧驰;余树东;李家声 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H01L51/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于静电诱导的图形化量子点薄膜制备方法。该方法包括步骤(1)阵列模板的制备和处理;(2)量子点反应溶液的制备及涂覆;(3)静电诱导极板的放置;(4)静电诱导成型。本发明采用静电诱导和微结构模板结合的方法,实现量子点彩膜基板的制备,将量子点的制备过程和量子点彩膜阵列的成型过程结合在一起,一步到位;本发明方法操作简单,效率高,控制精度高,适用于红、绿、蓝量子点彩膜的成型,有效解决了现有技术存在的问题,降低了制造成本,适于大规模生产过程。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 静电 诱导 图形 量子 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于静电诱导的图形化量子点薄膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤 :(1)阵列模板的制备和处理:利用光刻和刻蚀工艺将导电平板表面加工出所需图形的微柱阵列结构,作为静电诱导过程的阵列模板;(2)量子点反应溶液的制备及涂覆:配置量子点的前驱体溶液及不良溶剂;将前驱体溶液涂覆于下平板的上表面形成量子点前驱体层,再将不良溶剂涂覆于上平板的下表面形成不良溶剂层;(3)静电诱导极板的放置:将阵列模板的微柱阵列结构面朝下放置在上平板的无溶液面上,将上、下平板涂覆溶液的表面向内放置,两板间放置垫块后压紧并水平放置,使上、下平板间留有空气间隙;(4)静电诱导成型:将阵列模板接直流电源正极,下平板接直流电源负极,打开电源进行静电诱导;静电诱导结束后,将上平板置于烤箱烘烤使多余的不良溶剂层烘干,留下所需的量子点阵列结构,得到量子点薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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