[发明专利]制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法有效
| 申请号： | 201710199969.X | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106865616B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张璋;苏绍强;曾志强;汤丹;程鹏飞;林晓姿;雷勇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B01J27/051;B01J35/10 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 526238 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料制备技术领域，具体涉及一种制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法，所述方法包括，制备有序铝纳米洞AAO阵列模板；通过CVD法直接在SiO2/Si基底上生成单层MoS2纳米片；将有序铝纳米洞AAO阵列模板转移到单层MoS2纳米片上，得到MoS2纳米片样品；将MoS2纳米片样品转移到离子刻蚀腔体中进行刻蚀，并对MoS2纳米片样品进行轰击；去除MoS2纳米片样品上的模板，得到高密度多孔二维二硫化钼纳米片。本发明不但能够在二维MoS2的基面上引入类边界结构来增加活性位点数量，而且可以直接在SiO2/Si基底上生长单层MoS2，无需转移MoS2，避免了因转移过程中MoS2的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高密度 多孔 二维 二硫化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高密度多孔二维二硫化钼纳米片的方法，其特征在于，所述方法包括，制备有序铝纳米洞AAO阵列模板；通过CVD法直接在SiO2/Si基底上生成单层MoS2纳米片；将有序铝纳米洞AAO阵列模板转移到单层MoS2纳米片上，用氮气吹干，得到MoS2纳米片样品；将MoS2纳米片样品转移到离子刻蚀腔体中进行刻蚀，并对MoS2纳米片样品进行轰击；去除MoS2纳米片样品上的模板，得到高密度多孔二维二硫化钼纳米片。
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