[发明专利]一种晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201710200003.3 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106987901A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;徐云飞;孙庚昕;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B27/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体硅的制备方法，包括在坩埚中填装熔融状态的硅熔体，然后调节温度，进入长晶阶段，在长晶过程中，向坩埚内持续或间断地通入空气直至长晶结束，所述空气的流量为1L/min‑6L/min，经退火冷却后，得到晶体硅。本发明提供的晶体硅的制备方法，通过在晶体硅制备的长晶阶段通入空气，减少了晶体硅中的碳和碳化硅杂质含量，提高了晶体硅的出材率，降低了晶体硅的位错。本发明还提供了一种晶体硅，该晶体硅位错较少，少子寿命较高，质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚中填装熔融状态的硅熔体，然后调节温度，进入长晶阶段，在所述长晶过程中，向所述坩埚内持续或间断地通入空气直至长晶结束，所述空气的流量为1L/min‑6L/min，经退火冷却后，得到晶体硅。
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