[发明专利]石墨烯传感器及其制备方法

摘要

本发明提供一种石墨烯传感器及其制备方法，包括于衬底的两表面形成第一绝缘层及第二绝缘层；于所述第一绝缘层中打开窗口，基于所述窗口对所述衬底进行湿法腐蚀直至所述第二绝缘层，以形成腔体结构；于所述腔体结构区域上的第二绝缘层中刻蚀出开孔；于所述第二绝缘层上制备金属电极；于所述腔体结构表面生长石墨烯层，所述石墨烯层与所述腔体结构内的衬底表面形成肖特基接触。本发明巧妙地设计该类器件的结构尺寸，实现器件微纳化，并通过合理的工艺流程避免制备过程对石墨烯薄膜造成的污染；通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法直接在预设的器件结构上生长石墨烯薄膜，以实现该类传感器的批量制备，提高生产效率。

主权项

一种石墨烯传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：步骤1)，提供一衬底，于所述衬底的第一表面形成第一绝缘层，于所述衬底的第二表面形成第二绝缘层，所述第一表面与第二表面为所述衬底相对的两个表面；步骤2)，于所述第一绝缘层中打开窗口，基于所述窗口对所述衬底进行湿法腐蚀直至所述第二绝缘层，以形成腔体结构；步骤3)，于所述腔体结构区域上的第二绝缘层中刻蚀出开孔；步骤4)，于所述第二绝缘层上制备金属电极；步骤5)，于所述腔体结构表面生长石墨烯层，所述石墨烯层与所述腔体结构内的衬底表面形成肖特基接触。