[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201710200850.X | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107275258B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 古矢正明;森秀树 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能够抑制基板产生品质不良的基板处理装置。实施方式的基板处理装置(10)具有:保持基板的基板保持板(20);处理液保持板(40),具有排出处理液S的排出口(40a),并设于与由基板保持板(20)保持的基板W的表面对置并离开的位置,在与由基板保持板(20)保持的基板W的表面之间保持从排出口(40a)排出的处理液S;加热器(41),设于处理液保持板(40),加热处理液保持板(40);升降机构(60),使处理液保持板(40)以及加热器(41)相对于由基板保持板(20)保持的基板升降;及疏液层(43),以包围排出口(40a)的方式呈环状设置于处理液保持板(40)的基板W侧的表面,并排斥处理液S。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板保持部,对基板进行保持;处理液保持板,具有排出处理液的排出口,并设置于与由所述基板保持部保持的所述基板的表面对置并离开的位置,所述处理液保持板在与由所述基板保持部保持的所述基板的表面之间,保持从所述排出口排出的所述处理液;加热器,设置于所述处理液保持板,对所述处理液保持板进行加热;升降机构,使所述处理液保持板以及所述加热器相对于由所述基板保持部保持的所述基板升降;以及疏液层,以包围所述排出口的方式呈环状设置于所述处理液保持板的所述基板侧的表面,并排斥所述处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造