[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710201297.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106981476B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 顾以理 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底，基底包括若干芯片区和位于相邻芯片区之间的切割区，若干芯片区包括若干第一类芯片区和若干第二类芯片区；位于各芯片区上的芯片主电路；位于各芯片区上的焊盘，各芯片区上的焊盘和芯片主电路相互分立；位于基底切割区上的测试主电路，所述测试主电路用于对第一类芯片区上的芯片主电路进行电学检测；第一类导电结构，第一类导电结构电学连接第一类芯片区上的芯片主电路和第一类芯片区上的焊盘；第二类导电结构，第二类导电结构电学连接测试主电路和第二类芯片区上的焊盘。所述半导体器件提高了第一类芯片区上芯片主电路对第一类芯片区的面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，基底包括若干芯片区和位于相邻芯片区之间的切割区，若干芯片区包括若干第一类芯片区和若干第二类芯片区；所述基底包括若干相邻的器件区，各个器件区均具有相同数量的芯片区，若干器件区包括若干牺牲器件区和若干非牺牲器件区，牺牲器件区在基底上的分布均匀；各牺牲器件区具有若干第一类芯片区和若干第二类芯片区，各非牺牲器件区具有若干第一类芯片区而不具有第二类芯片区；位于各芯片区上的芯片主电路；位于各芯片区上的焊盘，各芯片区上的焊盘和芯片主电路相互分立；位于基底切割区上的测试主电路，所述测试主电路用于对第一类芯片区上的芯片主电路进行电学检测；第一类导电结构，第一类导电结构电学连接第一类芯片区上的芯片主电路和第一类芯片区上的焊盘；第二类导电结构，第二类导电结构电学连接测试主电路和第二类芯片区上的焊盘。
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