[发明专利]半导体结构有效
申请号: | 201710202281.2 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107978637B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 李承翰;马志宇;张世杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/04 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请公开一种半导体结构,其中半导体结构包含阶状的结晶基板,其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构,且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上,并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上,且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物,而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体结构,包括:一阶状的结晶基板,其包含一较高阶状物、一较低阶状物、与一阶状隆起;一第一鳍状物,包含具有一第一晶格常数的结晶结构,且该第一鳍状物形成于该较低阶状物上;以及一第二鳍状物,包含具有一第二晶格常数的结晶结构,该第一晶格常数不同于该第二晶格常数,且该第二鳍状物形成于该较高阶状物上且与该第一鳍状物分隔。
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