[发明专利]硅外延反应腔用梯形基座

摘要

本发明公开了一种硅外延反应腔用梯形基座，涉及化学气相沉积用设备技术领域。所述基座包括梯形基座本体，所述梯形基座本体为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽，所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。通过在所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设置档条，阻挡部分气流，使得能够改变反应腔室结构造成的硅片外延层左右位置厚度偏大趋势，改善片内厚度形貌、提高片内厚度一致性。

主权项

一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体（1），所述梯形基座本体（1）为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽（2），其特征在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条（3）。