[发明专利]一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201710202609.0 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN108668422B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 肖德志 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H05H1/10 分类号: H05H1/10;H01J37/32
代理公司: 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 代理人: 陈亚英
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置。该等离子体产生腔室包括介质筒和绕制在介质筒外壁的线圈,线圈用于将射频功率耦合至介质筒内,以激发介质筒内的气体产生等离子体,还包括磁性元件,磁性元件围设在线圈的远离介质筒的外侧,磁性元件能在介质筒内产生磁场,磁场的方向与介质筒的轴线夹角大于0°且小于180°。该等离子体产生腔室通过在介质筒的外围设置磁性元件,能够获得更高密度的等离子体,从而提高了晶圆表面的等离子体处理速率,并使等离子体处理速率能够达到工艺要求;而且还降低了等离子体中粒子的能量,避免了等离子体中粒子能量过高对晶圆表面造成损伤。
搜索关键词: 一种 等离子体 产生 处理 装置
【主权项】:
1.一种等离子体产生腔室,包括介质筒和绕制在所述介质筒外壁的线圈,所述线圈用于将射频功率耦合至所述介质筒内,以激发所述介质筒内的气体产生等离子体,其特征在于,还包括磁性元件,所述磁性元件围设在所述线圈的外侧,所述磁性元件能在所述介质筒内产生磁场,所述磁场的方向与所述介质筒的轴线夹角大于0°且小于180°。
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