[发明专利]晶圆表面的键合方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201710202652.7 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106981414A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李艳锋;王喜龙;胡胜;张昭 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆表面的键合方法及半导体器件，所述晶圆表面的键合方法包括如下步骤提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键与所述介质层进行键合。在本发明提供的晶圆表面的键合方法及半导体器件中，通过热退火处理将衬底上表面的悬挂键与衬底上沉积的介质层中的氢离子进行键合，并由缓冲层的缓冲作用保护介质层进一步提高热退火处理产生的退火效果，从而提高衬底表面与介质层的键合程度，降低产品上的坏点，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底的上表面具有悬挂键；沉积介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面；沉积缓冲层，所述缓冲层覆盖在所述介质层上；进行热退火处理，使所述悬挂键与所述介质层进行键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
