[发明专利]一种改善ESD保护器件均匀导通的方法

摘要

本发明公开了一种改善ESD保护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中ESD防护器件的特性改进，其中所述ESD保护器件包括并联排列的多个NMOS管，所述多个NMOS管的漏极通过金属连线接到I/O端口或电源端口，多个NMOS管的栅极、源极和衬底共同接到地电位。其特征为在所述的ESD保护器件中，NMOS管的栅极去掉了Silicide(金属硅化物)。在I/O端口或电源端口出现正ESD脉冲时，栅极寄生电阻和栅漏寄生电容，将栅极电压耦合到一个高电位，降低了ESD保护器件的触发电压，使得并联排列的多个MOS管同时导通放电，ESD保护能力得到提高。

主权项

一种改善ESD保护器件均匀导通的方法，其特征在于，该ESD保护器件为位于P阱中的并联排列的多个NMOS管，所述多个NMOS的漏极接到I/O端口或电源端口，栅极、源极和衬底共同接到地电位，在所述的ESD保护器件中，NMOS管的栅极被silicide阻挡层盖住，没有silicide，存在寄生电阻；在I/O端口或电源端口出现正ESD脉冲时，栅极寄生电阻和栅漏寄生电容，将栅极电压耦合到一个高电位，使得NMOS管导通，增加了漏极到P阱的衬底电流，降低了寄生NPN的触发电压，使得并联排列的多个NMOS管可以同时导通放电；在I/O端口或电源端口出现负ESD脉冲时，NMOS漏极和P阱寄生二极管开启，起到保护作用。