[发明专利]SOI低阻横向高压器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。

主权项

一种SOI低阻横向高压器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：选择SOI材料，该材料包括Si衬底层(1)、埋氧层(2)以及绝缘体上硅层；步骤2：在绝缘体上硅层上进行漂移区的两段式线性变掺杂，通过注入N型杂质形成不同变化斜率的N型线性变掺杂厚SOI层(4)与薄硅层漂移区(44)；步骤3：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行局部氧化，形成薄硅层区，即厚介质层(3)；步骤4：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行硼注入，形成Pwell区(11)；步骤5：在N型分段式线性变掺杂漂移区上进行磷注入，形成Nwell区(43)；步骤6：在N型分段式线性变掺杂漂移区形成栅极前，近栅极的位置表面生长一层场氧化层，形成栅氧化层(5)；步骤7：淀积多晶硅，形成多晶硅栅电极(6)；步骤8：利用高能离子注入进行N型杂质注入，严格控制注入能量与注入时间，形成N条(45)；步骤9：利用离子注入进行P型杂质注入，严格控制注入能量与注入时间，形成P条(13)；步骤10：进行第一P型重掺杂区(12)、第一N型重掺杂区(41)以及第二N型重掺杂区(42)的注入，形成欧姆接触，引出电极；步骤11：第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极(7)与漏极接触电极(8)。