[发明专利]烘烤方法

摘要

本公开实施例提供一种烘烤方法，包括将第一晶片及第二晶片分别移入第一烘烤单元及第二烘烤单元内。将第一加热板及第二加热板升温至预定温度。抬升第一支撑销及第二支撑销，以将第一晶片支撑于第一加热板上方，且将第二晶片支撑于第二加热板上方。再者，调降第一支撑销，使得第一晶片放置于第一加热板上且以预定温度烘烤第一晶片。在烘烤第一晶片的期间，第二支撑销维持抬升且将第二晶片支撑于第二加热板上方，以预先加热第二晶片。在调降第一支撑销之后，调降第二支撑销，使得第二晶片放置于第二加热板上且以预定温度烘烤第二晶片。

主权项

1.一种烘烤方法，包括：将一第一晶片及一第二晶片分别移入一第一烘烤单元及一第二烘烤单元内，其中该第一烘烤单元包括一第一加热板及位于该第一加热板内可升降的多个第一支撑销，且其中该第二烘烤单元包括一第二加热板及位于该第二加热板内可升降的多个第二支撑销；将该第一加热板及该第二加热板升温至一预定温度；抬升所述多个第一支撑销及所述多个第二支撑销，以将该第一晶片支撑于该第一加热板上方，且将该第二晶片支撑于该第二加热板上方；调降所述多个第一支撑销，使得该第一晶片放置于该第一加热板上且以该预定温度烘烤该第一晶片，其中在烘烤该第一晶片的期间，所述多个第二支撑销维持抬升且将该第二晶片支撑于该第二加热板上方，以预先加热该第二晶片；以及在调降所述多个第一支撑销之后，调降所述多个第二支撑销，使得该第二晶片放置于该第二加热板上且以该预定温度烘烤该第二晶片。