[发明专利]一种具有超结结构的SOI横向高压器件在审
| 申请号： | 201710203410.X | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106981518A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 章文通;詹珍雅;肖倩倩;王正康;乔明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有超结结构的SOI横向高压器件，其元胞结构包括衬底、衬底接触电极、埋氧层、厚SOI层、P型体区、厚介质层、N型重掺杂漏极区、超薄顶层硅、N型条区和P型条区、P型重掺杂体接触区和N型重掺杂源极区、栅氧化层、源极接触电极、多晶硅栅、漏极接触电极，N型条区和P型条区构成超结结构并在Z方向交替排列地嵌入在靠近源端区域的厚SOI层中，本发明通过漏端超薄顶层硅提高器件漏端承受高压区的纵向耐压，通过大量的理论推导得到最好的横向耐压，同时靠近源端区域采用超结使其在保持功率MOS高的击穿电压的同时极大地降低了比导通电阻，有着较低的导通损耗，最终达到有效减小器件面积、降低器件成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 soi 横向 高压 器件 | ||
【主权项】：
一种具有超结结构的SOI横向高压器件，其特征在于：其元胞结构包括衬底(1)、衬底(1)下表面的衬底接触电极(16)、衬底(1)上表面的埋氧层(2)、埋氧层(2)上表面的厚SOI层(4)、厚SOI层(4)左侧的P型体区(8)、厚SOI层(4)内部的厚介质层(5)、沿纵向方向贯穿并嵌入在厚介质层(5)右端的N型重掺杂漏极区(11)、纵向上位于厚介质层(5)和埋氧层(2)之间的超薄顶层硅(3)、P型体区(8)和厚介质层(5)之间的N型条区(7)和P型条区(6)、位于P型体区(8)内部的相互独立的P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源极区(10)、设置在N型重掺杂源极区(10)和P型体区(8)上表面的栅氧化层(12)、与P型体区(8)的上表面相接触的源极接触电极(13)、栅氧化层(12)上方的多晶硅栅(14)、设置在N型重掺杂漏极区(11)上表面的漏极接触电极(15)，所述埋氧层(2)的上表面与厚SOI层(4)和超薄顶层硅(3)的下表面相连接，所述厚介质层(5)的下表面与超薄顶层硅(3)的上表面相接触，所述N型条区(7)和P型条区(6)构成超结结构并在Z方向交替排列地嵌入在N型漂移区中靠近源端区域的厚SOI层(4)中，P型重掺杂体接触区(9)和N型重掺杂源极区(10)的上表面与P型体区(8)的上表面相接触，所述源极接触电极(13)的右端部分覆盖N型重掺杂源极区(10)的左端，所述栅氧化层(12)的左端部分覆盖N型重掺杂源极区(10)的右端，栅氧化层(12)不与源极接触电极(13)相接触。
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