[发明专利]一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片在审
| 申请号： | 201710203747.0 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108666390A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陶飞;何英杰;张向锋;李墨;彭震宇;丁嘉欣;姚官生;张亮;曹先存;吕衍秋;朱旭波;张利学 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/09 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡云飞 |
| 地址： | 471009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采用Cl2、Ar、CH4和H2的混合气体对图形基底进行等离子体刻蚀；所述混合气体中，Cl2、Ar、CH4和H2的流量比为(1～10)：(5～15)：(1～10)：(5～30)。通过该制备方法制得的InAlSb芯片表面光滑，平整度高，台面横向无钻蚀，满足较高的工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 芯片 基底 混合气体 掩膜层 半导体光电探测器 等离子体刻蚀 工艺要求 台面横向 芯片表面 掩膜图形 流量比 平整度 上光 钻蚀 光滑 制造 | ||
【主权项】：
1.一种InAlSb芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采用Cl2、Ar、CH4和H2的混合气体对图形基底进行等离子体刻蚀；所述混合气体中，Cl2、Ar、CH4和H2的体积比为(1～10)：(5～15)：(1～10)：(5～30)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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