[发明专利]一种MOCVD设备反应腔体在审
申请号: | 201710203985.1 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN106929819A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 李致文;张勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/455 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 | 代理人: | 胡朝阳,尹彦 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种MOCVD设备反应腔体,包括腔体壁,其形成反应腔;腔体盖,其设置在反应腔的顶端开口处;载片盘,其设置在反应腔的底部;喷淋头,其设置在反应腔的顶部,喷淋头上设置有供不同气体进入反应腔的多种进气区域,每种进气区域上设置有喷淋口,喷淋口的出气端口与反应腔连通,喷淋口与所述载片盘垂直;多种进气管道,分别与对应的进气区域连通,进气管道的出气口穿过腔体盖与所述喷淋口的进气端口连通,进气管道的进气口位于所述腔体盖外。该MOCVD设备反应腔体使不同的气体经各自的进气管道进入,再通过与各自对应的进气区域上的喷淋口进入反应腔,使得反应腔内的气体分布均匀,进而使得进气时反应腔内的气场分布均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 反应 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备反应腔体,其特征在于,包括:腔体壁,其形成反应腔;腔体盖,其设置在所述反应腔的顶端开口处;载片盘,其设置在所述反应腔的底部;喷淋头,其设置在所述反应腔的顶部,所述喷淋头上设置有供不同气体进入所述反应腔的多种进气区域,每种进气区域上设置有喷淋口,所述喷淋口的出气端口与所述反应腔连通,所述喷淋口与所述载片盘垂直;多种进气管道,分别与对应的进气区域连通,进气管道的出气口穿过所述腔体盖与所述喷淋口的进气端口连通,所述进气管道的进气口位于所述腔体盖外。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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