[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201710205482.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108258046B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括具有第一导电型的基底、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金属氧化物半导体场效应晶体管位于基底上。结型场效应晶体管位于基底上。隔离结构位于金属氧化物半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管之间。埋入层位于金属氧化物半导体场效应晶体管与基底之间。埋入层自金属氧化物半导体场效应晶体管的下方延伸至隔离结构的下方以及结型场效应晶体管的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：具有一第一导电型的一基底；一金属氧化物半导体场效应晶体管，位于该基底上；一第一接面场效应晶体管，位于该基底上；一隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管与该第一接面场效应晶体管之间；以及具有一第二导电型的一埋入层，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管与该基底之间，其中该埋入层自该金属氧化物半导体场效应晶体管的下方延伸至该隔离结构的下方以及该第一接面场效应晶体管的下方。
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