[发明专利]一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法有效

专利信息
申请号: 201710206278.8 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106876608B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 史浩飞;姬乙雄;杨俊;罗伟;汤林龙;白向兴;魏兴战;陆仕荣 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 11308 北京元本知识产权代理事务所 代理人: 黎昌莉
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及有机发光二极管领域,具体地涉及一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法,包括分布有纳米凸起结构的柔性透明基底以及位于柔性透明基底之上的多层电极结构,所述多层电极结构自下而上包括:柔性透明基底上的种子层、位于种子层上的超薄金属层、超薄金属层上的减反增透层。因其随机分布纳米结构的存在,有效降低了全反射,耦合出了被局限在OLED结构中的部分波导模式和表面等离子体模式,实现了较无光提取结构OLED器件出光效率大幅度提升,并且提出的纳米结构制作方法兼容于大面积或者精细小面积的制备过程。
搜索关键词: 一种 用于 oled 提取 超薄 金属 透明 电极 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种基于OLED光提取的超薄金属透明电极的OLED制造方法,包括分布有随机或者准周期分布的纳米凸起结构的柔性透明基底(1)以及位于柔性透明基底(1)之上的多层电极结构,所述多层电极结构自下而上包括:柔性透明基底(1)上的种子层(2)、位于种子层(2)上的超薄金属层(3)、超薄金属层(3)上的减反增透层(4);/n其特征在于:所述纳米凸起结构的凸起尺寸最大值在40-60nm之间,接近于超薄金属层与减反增透层的厚度之和,上下不超过10nm;该超薄金属透明电极的制造方法包括以下步骤:/na)将透明基底清洗并提前吹干;/nb)在基底上用磁控溅射的方法制作种子层,磁控溅射过程中,Ar等离子同时作用在柔性透明基底上产生随机分布的纳米凸起结构,由此得到结构化的柔性透明电极;/nc)在种子层上继续制作超薄金属层;/nd)在超薄金属层上制作减反增透层;/ne)在减反层上通过溶液旋涂的方法制备发光层;/nf)在发光层上制备电极层,完成整个OLED的制作。/n
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