[发明专利]一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料

摘要

本发明公开了一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～1.3％的Na0.5Bi0.5TiO3及0.6～3.5％的Nb2O5；所述的Na0.5Bi0.5TiO3，是将Na2CO3、Bi2O3和TiO2按摩尔量比为114合成。造粒后压制成生型，于氢气百分比为0％～5％的氮氢混合还原气氛中1290℃～1315℃烧结而成。本发明在还原气氛下烧结，可阻止钛酸钡半导化进程加剧，显著提升了介电常数，具有宽的工作温区和较低的介电损耗。在‑55℃～150℃温区内，电容量变化率在±15％以内，室温介电常数达13700，介电损耗低至0.06，电阻率大于1010Ω·cm。

主权项

一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO3粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～1.3％的Na0.5Bi0.5TiO3及0.6～3.5％的Nb2O5。所述的Na0.5Bi0.5TiO3，是将Na2CO3、Bi2O3和TiO2按摩尔量比为1:1:4合成；该抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，具有如下步骤：(1)合成Na0.5Bi0.5TiO3将Na2CO3、Bi2O3和TiO2按摩尔量比为1:1:4进行配料，混合球磨4小时后烘干、过40目分样筛，于950℃煅烧4小时，制得Na0.5Bi0.5TiO3；(2)以BaTiO3作为基料，掺杂质量百分比0.3～1.3％的Na0.5Bi0.5TiO3，混合球磨4小时，烘干后于1050℃空气气氛煅烧8小时，制得BT‑NBT混合物；(3)在BT‑NBT中添加质量百分比的0.6～3.5％的Nb2O5，所配原料与去离子水混合后球磨4～8小时，烘干后外加质量百分比为7％的粘结剂，过80目分样筛造粒；(4)将步骤(3)的造粒粉料压制成生坯，经排胶后，于氢气百分比为0％～5％的氮氢混合还原气氛中1290℃～1315℃烧结，气体流速40～120mL/min，保温3小时，制得抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料。