[发明专利]一种玻璃腐蚀的掩膜方法有效
| 申请号： | 201710206914.7 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106904839B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张照云;苏伟;唐彬;许蔚;熊壮 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种玻璃腐蚀的掩膜方法，该包括：（a）通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合；（b）去掉硅片上表面的氧化层；（c）减薄硅片；（d）以光刻胶在硅片表面光刻，形成玻璃腐蚀所需要的图形；（e）利用DRIE（深反应离子刻蚀）各向异性刻蚀，刻蚀硅片，刻蚀深度至玻璃层；（f）去掉硅片上的光刻胶；（g）腐蚀玻璃；（h）去掉玻璃上的硅、氧化硅，并清洗，得到所需要的玻璃结构。本发明的方法，玻璃腐蚀深度不受限制，且可以避免阳极键合温度带来的热应力，另外不需要昂贵的设备，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种玻璃腐蚀的掩膜方法，其特征在于，包括下述步骤：(a)通过氢氧化物将具有表面氧化层的硅片与玻璃进行催化键合；(b)去掉硅片上表面的氧化层；(c)减薄硅片；(d)以光刻胶在硅片表面光刻，形成玻璃腐蚀所需要的图形；(e)利用DRIE各向异性刻蚀，刻蚀硅片，刻蚀深度至玻璃层；(f)去掉硅片上的光刻胶；(g)腐蚀玻璃；(h)去掉玻璃上的硅、氧化硅，并清洗，得到所需要的玻璃结构；所述步骤(a)中的催化键合，具体包括下述步骤：(1)在洁净玻璃上滴入含OH‑的水溶液；(2)将具有表面氧化层的硅片轻轻的压在滴有液体一面的玻璃上；(3)在室温下静置24小时以上。
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