[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201710207645.6 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106960878A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 江易璁 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 梁挥,鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于一种半导体器件，半导体器件设置于基板上，该半导体器件包括第一金属层、绝缘层、半导体层及第二金属层。第一金属层层叠于该基板之上，该第一金属层上具有第一凹槽；绝缘层层叠于该第一金属层之上；半导体层层叠于该栅极绝缘层之上；第二金属层层叠于该栅极绝缘层之上，该第二金属层的个数为两个且相互平行，该第二金属层的延伸方向异于该第一凹槽的方向；其中，该半导体层层叠于该第二金属层之上；或者该第二金属层层叠于该半导体层之上。本发明的半导体器件的第一金属层呈U形，其效能大幅提高，有利于窄边框的设计，且第二金属层处于第一金属层范围内，可提高穿透率，另外半导体层被第一金属层包覆，可进一步提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，该半导体器件设置于基板上，其特征在于，该半导体器件包括：第一金属层，层叠于该基板之上，该第一金属层上具有第一凹槽，该第一凹槽的槽底相较于槽口更接近于该基板；绝缘层，层叠于该第一金属层之上；半导体层，层叠于该栅极绝缘层之上；以及第二金属层，层叠于该栅极绝缘层之上，该第二金属层的个数为两个，两个第二金属层相互平行且间隔设置，该第二金属层的延伸方向异于该第一凹槽的方向；其中，该半导体层层叠于该第二金属层之上；或者该第二金属层层叠于该半导体层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710207645.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐压功率MOS器件
- 下一篇：一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法
- 同类专利
- 专利分类
