[发明专利]一种倾斜金属纳米结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710208011.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106989969B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张中月;王天堃;付统 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;C23C14/22 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人： | 张蓓 |
| 地址： | 710119 陕西省西安市长*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倾斜金属纳米结构及其制备方法，该倾斜金属纳米结构制备是以聚苯乙烯小球模板，通过沉积绝缘材料抬高沉积的金属材料的一部分，使整个由金属材料沉积得到的金属结构产生一定的倾斜角；采用正入射法可以获得该结构的圆二色光谱，并在增加沉积绝缘材料的沉积时间后，可得到增强的圆二色性信号；本发明制备倾斜结构的方法相比采用电子束刻蚀与激光直写等技术制备倾斜结构的方法具有步骤简单，节省时间，并且可控性强的特点，同时，采用本发明的方法制备的倾斜结构也可应用为增强手性分子手性信息的传感器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倾斜 金属 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倾斜金属纳米结构，所述结构沉积于聚苯乙烯小球的表面，其特征在于：由第一金属材料层、绝缘材料层、第二金属材料层和第三金属材料层组成，所述第一金属材料层和绝缘材料层均沉积在聚苯乙烯小球的表面，且第一金属材料层和绝缘材料层对接在一起，所述第二金属材料层沉积在绝缘材料层的上表面；所述第三金属材料层垂直于第二金属材料层和第一金属材料层，且第三金属材料层沉积在第一金属材料层和第二金属材料层的上表面端部；所述第一金属材料层、第二金属材料层和第三金属材料层的厚度相同，且均由相同的金属沉积而成；所述绝缘材料层的厚度大于所述第一金属材料层、第二金属材料层和第三金属材料层的厚度；所述金属包括金或银，所述绝缘材料层为二氧化硅层。
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