[发明专利]用于USB输电的可配置且功率优化的集成栅极驱动器及Type-C SoC有效
| 申请号： | 201710208117.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107368441B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 阿努普·K·纳亚克;拉玛克里什那·维尼加尔拉 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G06F13/38 | 分类号： | G06F13/38;G06F13/40 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于USB输电的可配置且功率优化的集成栅极驱动器及Type‑C SoC。本文描述了用于功率场效应晶体管(功率FET)栅极驱动器的技术。在示例实施例中,设备包括设置在单片集成电路(IC)中的通用串行总线(USB)子系统。USB子系统包括栅极驱动器电路，其被配置以选择性地控制外部的N沟道功率FET或者外部的P沟道功率FET。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 usb 输电 配置 功率 优化 集成 栅极 驱动器 type csoc | ||
【主权项】：
1.一种包括通用串行总线USB子系统的设备，其中，所述USB子系统设置在单一集成电路IC中，并且其中，所述USB子系统包括栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路被配置以选择是控制外部的N沟道功率场效应晶体管还是控制外部的P沟道功率场效应晶体管；其中，所述USB子系统被配置以确定是所述外部的N沟道功率场效应晶体管还是所述外部的P沟道功率场效应晶体管耦合于所述栅极驱动器电路。
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