[发明专利]制作显示面板的方法、显示面板及显示装置

摘要

本申请公开了一种制作显示面板的方法、显示面板及显示装置，显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，该方法包括：在衬底基板上形成电容区的第一极板及第一薄膜晶体管的栅极；在第一导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上依次形成半导体有源层、刻蚀缓冲层以及刻蚀阻挡层，刻蚀位于电容区的刻蚀阻挡层及刻蚀缓冲层；刻蚀位于薄膜晶体管区的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第一薄膜晶体管的第一极、第二极，在电容区形成第二极板；通过本方法，可以增大存储电容的存储量，提高存储电容的充放电速度，同时在制作显示面板的过程中，将氧化物半导体层作为刻蚀缓冲层，在对其他绝缘层进行刻蚀时，可对存储电容的绝缘介质进行有效的保护。

主权项

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管区以及电容区，所述方法包括：/n在衬底基板上形成第一导体层，刻蚀所述第一导体层形成位于所述电容区的第一极板以及位于所述薄膜晶体管区的第一薄膜晶体管的栅极；/n在所述第一导体层上形成第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层，刻蚀所述氧化物半导体层形成半导体有源层以及刻蚀缓冲层，其中，所述半导体有源层位于所述薄膜晶体管区，所述刻蚀缓冲层位于所述电容区，刻蚀所述氧化物半导体层采用湿刻方式；/n在所述半导体有源层以及所述刻蚀缓冲层上形成刻蚀阻挡层，刻蚀位于所述电容区的所述刻蚀阻挡层以及所述刻蚀缓冲层，其中，利用干刻对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，利用湿刻对作为所述刻蚀缓冲层的半导体有源层进行刻蚀；/n刻蚀位于薄膜晶体管区的所述刻蚀阻挡层以暴露部分所述半导体有源层，形成所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第一极的接触区和所述半导体有源层与所述第一薄膜晶体管的第二极的接触区；/n在所述刻蚀阻挡层上形成第二导体层，刻蚀所述第二导体层以在所述薄膜晶体管区形成所述第一极、所述第二极以及在所述电容区形成第二极板，其中，所述第二极板向所述衬底基板的正投影与所述第一极板至少部分重叠。/n