[发明专利]研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法有效
| 申请号： | 201710209057.6 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108655946B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨青海;高耀寰;刘黄升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/16 | 分类号： | B24B37/16;B24B37/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种研磨头，其包括一基座、一支撑层及一研磨层。支撑层设置于基座之上，且研磨层设置于该支撑层之上。研磨层包括多个凸块。凸块具有弧形外表面，且相邻二个凸块间隔排列。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨头，包括：一基座；一支撑层，设置于该基座之上；以及一研磨层，设置于该支撑层之上，且包括多个具有弧形外表面的凸块彼此间隔排列。
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