[发明专利]基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管有效
| 申请号： | 201710210415.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106910805B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;彭若诗;杜金娟;李培咸;刘大为;张进成;李雨洋;黄俊;牛牧童;黄钰智;孟锡俊;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 lialo2 衬底 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种基于m面LiAlO2衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，包括：m面LiAlO2衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其特征在于：在GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层上通过光刻工艺刻蚀掉部分SiN掩膜层直至GaN缓冲层形成的数根条纹；发光层为一层含有反型畴的m面Ⅲ族氮化物层，该m面Ⅲ族氮化物层包括n型m面Ⅲ族氮化物层和p型m面Ⅲ族氮化物层，其中，p型m面Ⅲ族氮化物层位于n型m面Ⅲ族氮化物层的右边。
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