[发明专利]一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法有效
| 申请号： | 201710210561.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106877169B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 常江;李庭宇;周日凯;付永安;孙莉萍 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/20 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构和制造方法。其中结构包括SOI衬底、三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导，所述三五族有源区波导的出光口与所述硅波导的进光口耦合，所述硅波导的出光口与所述聚合物波导的进光口耦合；所述聚合物波导的出光口与所述激光器的出光口耦合。本发明实施例可以实现激光器的热不敏感，温度变化时，激光器光波长稳定不变，不需要额外使用TEC来控温，能大大降低模块的功耗，实现相同封装方式下更多路光通道的封装，本发明实施例中激光器制作在SOI上，芯片发光可以直接进入光波导中传输，不需要额外进行耦合，利于集成与批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 异质结热不 敏感 激光器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI的异质结热不敏感激光器结构，其特征在于，包括SOI衬底、三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导，所述三五族有源区波导、负折射率温度系数的聚合物波导和硅波导位于所述SOI衬底上，具体的：所述三五族有源区波导的出光口与所述硅波导的进光口耦合，所述硅波导的出光口与所述聚合物波导的进光口耦合；所述聚合物波导的出光口与所述激光器的出光口耦合；其中，所述三五族有源区波导的长度L和折射率n，以及聚合物波导的长度Ls和折射率ns，由上述四个参数以及各参数相对于温度的变化系数，构成三五族有源区波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子；根据所述三五族有源区波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子之和为零，在确定所述折射率n和折射率ns对于温度的变化系数后，得到所述三五族有源区波导的长度L和聚合物波导的长度Ls的长度比例；依据所述长度比例制作所述三五族有源区波导和/或聚合物波导。
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