[发明专利]基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法在审
| 申请号： | 201710211254.1 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107039587A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 雷双瑛;沈海云 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法，包括硅衬底、第一二氧化硅保护层、黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结、第二二氧化硅保护层、漏极和源极；硅衬底为栅极。硅衬底上生长第一二氧化硅保护层；在第一二氧化硅保护层上沉积得到黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层；在第二二氧化硅保护层表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极和源极。本发明的异质结构成的负微分电阻无需额外掺杂，制备工艺更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同材料的半导体连接形成异质结；同时该负微分电阻表现出很高的峰谷电流比。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 黑磷 硫化 铼异质结 微分 电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻，其特征在于：包括硅衬底(1)、第一二氧化硅保护层(2)、黑磷薄层(3)和二硫化铼薄层(4)构成的异质结、第二二氧化硅保护层(5)、漏极(VD)和源极(VS)；硅衬底(1)为栅极；其中，硅衬底(1)上生长第一二氧化硅保护层(2)；在第一二氧化硅保护层(2)上沉积得到黑磷薄层(3)和二硫化铼薄层(4)构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层(5)；在第二二氧化硅保护层(5)表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极(VD)和源极(VS)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710211254.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：公路路侧防护栏专用底座
- 下一篇：一种用于交叉路口的安全护栏
