[发明专利]一种通孔免对位的功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710211324.3 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666361B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体领域，提供了一种通孔免对位的功率器件及其制备方法，该器件包括衬底和外延层以及，在外延层上具有一深槽结构，深槽结构中从外向内依次包括绝缘层和栅极，深槽结构通过氧化使绝缘层沿深槽方向形成小于60度的斗状结构，其顶部覆盖有氧化层；在深槽结构外的外延层通过离子注入形成的源极和沟道；以及通过刻蚀氧化层形成的通孔，通孔连接源极和沟道形成欧姆接触。本发明通过氧化使功率器件的绝缘层沿深槽方向呈斗状结构，从而保证在刻蚀通孔时不受光刻最小线宽和对位精度的限制，有利于增加器件密度，降低功率器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通孔免 对位 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔免对位的功率器件，所述功率器件包括衬底和外延层，其特征在于，所述功率器件在所述外延层上具有一深槽结构，所述深槽结构中从外向内依次包括绝缘层和栅极，所述深槽结构通过氧化使绝缘层沿深槽方向形成小于60度的斗状结构，所述深槽结构的顶部覆盖有氧化层；所述功率器件还包括：在深槽结构外的外延层通过离子注入形成的源极和沟道；以及通过刻蚀氧化层形成的通孔，所述通孔连接源极和沟道形成欧姆接触。
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