[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710212206.4 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108074981B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 林育樟;简薇庭;聂俊峰;邱文礼;张惠政;梁春昇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例公开半导体装置。装置包含半导体鳍状物。栅极堆叠位于半导体鳍状物上。栅极堆叠包含栅极介电物于半导体鳍状物上，以及栅极位于栅极介电物上。栅极与栅极介电物的上表面彼此齐平。第一层间介电物与半导体鳍状物上的栅极堆叠相邻。第一层间介电物施加压缩应力至栅极堆叠上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一半导体鳍状物；一栅极堆叠，位于该半导体鳍状物上，其中该半导体鳍状物包含一栅极介电层位于该半导体鳍状物上，以及一栅极位于该栅极介电物上，且该栅极与该栅极介电层的上表面彼此齐平；以及一第一层间介电物，与该半导体鳍状物上的该栅极堆叠相邻，且该第一层间介电物施加一压缩应力至该栅极堆叠上。
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