[发明专利]基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备在审
| 申请号： | 201710212469.5 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108665941A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;李建新;潘荣华 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的列修复方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，该方法包括：检测存储设备中的坏列；判断坏列是否修复过；当判断出没有修复过，则用冗余列替换坏列；当判断出修复过，则将修复坏列的冗余列标记为坏冗余列，并用新的冗余列替换坏列。本发明实施例能够解决现有技术中替换列坏掉后无法正常进行读写等操作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 坏列 存储设备 修复 冗余列 替换 读写 并用 检测 | ||
【主权项】：
1.一种基于NAND闪存的列修复方法，应用于NAND存储设备，其特征在于，所述方法包括：检测所述存储设备中的坏列；判断所述坏列是否修复过；当判断出没有修复过，则用冗余列替换所述坏列；当判断出修复过，则将修复所述坏列的冗余列标记为坏冗余列，并用新的冗余列替换所述坏列。
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