[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201710212677.5 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107170855B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;郭炳磊;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层；控制生长温度为1050℃～1100℃，生长压力为300torr～600torr，在低温二维层上生长高温高压三维层；控制生长温度为1000℃～1050℃，生长压力为100torr～300torr，在高温高压三维层上生长低温低压三维层，低温低压三维层的生长压力低于高温高压三维层的生长压力；在低温低压三维层上依次生长未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明利用高温高压三维层快速填平图形化蓝宝石衬底的表面图形之间的空间，最终提高发光二极管的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在图形化蓝宝石衬底上生长低温二维层；控制生长温度为1050℃～1100℃，生长压力为300torr～600torr，在所述低温二维层上生长高温高压三维层；控制生长温度为1000℃～1050℃，生长压力为100torr～300torr，在所述高温高压三维层上生长低温低压三维层；在所述低温低压三维层上依次生长未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。
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