[发明专利]具有3D沟道的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

主权项

一种半导体器件，包括：基板，具有沟槽以及在第一方向上纵向对准的第一鳍和第二鳍，其中所述沟槽在所述第一鳍和所述第二鳍之间延伸；场绝缘材料的一部分，设置在插置在所述第一鳍和所述第二鳍之间的所述沟槽中，所述场绝缘材料的所述部分的上表面设置在所述第一鳍和所述第二鳍的最上表面下面的水平处；多个有源栅极，设置在所述第一鳍和所述第二鳍上；第一虚设栅极，至少部分地延伸到所述沟槽中至所述场绝缘材料的所述部分的所述上表面；以及第二虚设栅极，与所述第一虚设栅极相对，所述第二虚设栅极至少部分地延伸到所述沟槽中至所述场绝缘材料的所述部分的所述上表面。