[发明专利]TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种TFT基板的制作方法。该制作方法包括以下步骤：利用第一道光罩工艺，在基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；利用第三道光罩工艺，在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，在第一绝缘层上形成第二光阻层，对第一半导体层导体化以形成第一导体层，在基板上形成第二导体层，在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极。该方案工艺步骤简单，可提高生产效率，降低生产成本。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；利用第一道光罩工艺，在该基板上形成缓冲层、数据线以及源极，并在该缓冲层上设置第一扫描线、第二扫描线以及栅极；其中，数据线与源极电连接，第二扫描线与栅极电连接，栅极呈玦状且环绕源极设置；利用第二道光罩工艺，在缓冲层、栅极上形成第一绝缘层，在数据线上形成第二绝缘层，在第一扫描线、第二扫描线上形成第一半导体层，在源极上形成第二半导体层；在该基板上涂布光阻，利用第三道光罩工艺，对位于第一半导体层上的光阻全曝光，以使第一半导体层露出；对位于第二绝缘层以及第二半导体层上的光阻半曝光，以在第二绝缘层以及第二半导体层上形成第一光阻层，并将位于第一绝缘层上的未曝光光阻作为第二光阻层；对第一半导体层导体化以形成第一导体层，然后去除第一光阻层；在基板上形成第二导体层后去除第二光阻层，以在第一导体层以及第二绝缘层上形成电连接部、在第二半导体层上形成漏极，其中，电连接部通过第一导体层使得第一扫描线与第二扫描线连接。