[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710212979.2 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108336066A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包含一基板，具有一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；以及一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间。该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。 | ||
| 搜索关键词： | 插塞 金属结构 基板 半导体结构 延伸穿过 接地 信号源 配置 传送 电源 隔离 对立 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一侧与一第二侧，该第一侧与该第二侧对立；一第一插塞，延伸穿过该基板；一第二插塞，延伸穿过该基板；一金属结构，位于该第一插塞与该第二插塞之间，其中该第一插塞通过该金属结构而与该第二插塞隔离，该第一插塞与该第二插塞经配置以连接至一信号源或传送一信号，以及该金属结构经配置以连接至一电源或接地。
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