[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成贯穿介质层且露出源漏掺杂区表面的第一通孔；形成贯穿介质层且露出栅极结构顶部的第二通孔；在第一通孔底部和侧壁、以及第二通孔底部和侧壁沉积盖帽层；对第一通孔底部以及第二通孔底部进行第一清洗处理，去除位于第一通孔底部以及第二通孔底部的盖帽层；在第一清洗处理之后，对第一通孔底部露出的源漏掺杂区以及第二通孔底部露出的栅极结构进行第二清洗处理；在进行所述第二清洗处理之后，在所述第一通孔底部和侧壁、以及第二通孔底部和侧壁以及介质层顶部上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，将位于所述源漏掺杂区上的金属层转化为金属硅化物层。本发明改善了形成的半导体结构的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成源漏掺杂区，且所述栅极结构露出的基底上以及栅极结构顶部上形成有介质层；形成贯穿所述介质层且露出所述源漏掺杂区表面的第一通孔；形成贯穿所述介质层且露出所述栅极结构顶部的第二通孔；在所述第一通孔底部和侧壁、以及所述第二通孔底部和侧壁沉积盖帽层；对所述第一通孔底部以及第二通孔底部进行第一清洗处理，去除位于所述第一通孔底部以及第二通孔底部的盖帽层；在所述第一清洗处理之后，对所述第一通孔底部露出的源漏掺杂区以及第二通孔底部露出的栅极结构进行第二清洗处理；在进行所述第二清洗处理之后，在所述第一通孔底部和侧壁、以及第二通孔底部和侧壁以及介质层顶部上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，将位于所述源漏掺杂区上的金属层转化为金属硅化物层；形成填充满所述第一通孔的第一导电插塞；形成填充满所述第二通孔的第二导电插塞。