[发明专利]一种单晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法；其中单晶硅表面蜂巢状结构，单晶硅硅片表面有若干个均匀分布的蜂巢状结构，每个蜂巢状结构均为多边形开口，沿多边形开口的每个面均向多晶硅硅片内部倾斜延伸，且沿多边形开口的每个面均为多边形，每个蜂巢状结构的位于多晶硅硅片表面的开口大于其内部的延伸的底面；蜂巢状结构的多边形开口直径为100~1000纳米、垂直深度为50~800纳米。本发明的单晶硅蜂巢状陷光结构对光的利用率更高，陷光效果更好，使得太阳能电池的效率更高，且工艺简单，可实现大面积批量生产，拥有很广泛的应用市场。

主权项

一种单晶硅表面蜂巢状结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将单晶硅硅片置于溶液A中进行清洗，去除单晶硅硅片表面机械损伤层；所述溶液A包括KOH或NaOH、制绒添加剂及DI纯水，其中KOH或NaOH 物质的量浓度为5mol/L~25mol/L，制绒添加剂体积百分比为0.5%~5%、余量为DI纯水；S2、将清洗好的单晶硅硅片进行黑硅制备，采用金属离子辅助刻蚀法或使用飞秒激光脉冲法或反应离子刻蚀法进行，制备成黑硅硅片；S3、将制备好的黑硅硅片进行浸洗，去除残留金属颗粒；S4、将清洗后的黑硅硅片置于溶液C中进行结构重构，再将重构后的黑硅硅片置于溶液D中进行处理，即可在单晶硅硅片表面制得蜂巢状结构；所述S4中溶液C按照体积百分比浓度包括：HF2%~8%、HNO320%~48%、H2O20%~4%、余量为DI纯水，反应温度为5℃~12℃，反应时间为50s~500s。