[发明专利]快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710214218.0 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107153214B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 韩和同;陈翔;傅录祥;宋朝晖;管兴胤;张子川;刘君红;李刚;卢毅 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种辐射探测装置，具体涉及一种基于短波光注入的快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括探测器前盖及半导体晶体，还包括短波光源，所述短波光源设置于探测器前盖内侧壁上，短波光源指向半导体晶体中心，短波光源的发射角度覆盖整个半导体晶体空间区域，短波光源的中心波长低于半导体晶体禁带宽度对应的波长。解决了晶体质量对探测器时间响应特性的影响，为脉冲辐射场测量提供具有快时间响应特性的新型CZT探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 短波光源 半导体晶体 探测器 半导体辐射探测器 时间响应特性 探测器本体 时间响应 前盖 辐射探测装置 空间区域 脉冲辐射 中心波长 短波光 内侧壁 波长 禁带 制作 指向 测量 发射 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种快时间响应半导体辐射探测器，包括探测器本体，所述探测器本体包括探测器前盖(1)及半导体晶体，其特征在于：还包括短波光源，所述短波光源设置于探测器前盖(1)内侧壁上，短波光源指向半导体晶体中心，短波光源的发射角度覆盖整个半导体晶体空间区域，短波光源的中心波长低于半导体晶体禁带宽度对应的波长；所述短波光源为半导体二极管(21)；所述半导体二极管(21)输出光源的带宽为10～20nm，焦斑直径大于CZT单晶(7)的灵敏面积。
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