[发明专利]一种新型纳米级La‑SnO2/PANI复合导电材料合成方法在审
| 申请号： | 201710215424.3 | 申请日： | 2017-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN107365496A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 吴俊哲 | 申请（专利权）人： | 新沂市中诺新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/02 | 分类号： | C08L79/02;C08K3/08;C08K3/22;C08G73/02;C01G19/02;B82Y40/00 |
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| 地址： | 221400 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型纳米级La‑SnO2/PANI复合导电材料的制备方法，以聚乙二醇，硝酸镧，SnCl4•5H2O,SDS等原料通过超声波，磁力搅拌等操作手段制备出新型纳米级La‑SnO2/PANI复合导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 纳米 la sno2 pani 复合 导电 材料 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种新型纳米级La‑SnO2/PANI复合导电材料合成方法，其特征在于, 以聚乙二醇，硝酸镧，SnCl4•5H2O,SDS等原料通过超声波，磁力搅拌等操作手段制备出新型纳米级La‑SnO2/PANI复合导电材料。
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