[发明专利]一种新型纳米级Th‑MCF材料合成方法在审
申请号: | 201710215426.2 | 申请日: | 2017-04-03 |
公开(公告)号: | CN106975512A | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 吴思敏 | 申请(专利权)人: | 新沂市中诺新材料科技有限公司 |
主分类号: | B01J29/03 | 分类号: | B01J29/03;C12N11/14;C12N9/84;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221400 江苏省徐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种新型纳米级Th‑MCF材料的合成方法,以PluronicP123,白炭黑,苯,硝酸钍等原料通过超声波,磁力搅拌等操作手段制备出新型纳米级Th‑MCF材料。该材料合成简便,物化性质好,在固定化青霉素酰化酶的活性有着非常好的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 纳米 th mcf 材料 合成 方法 | ||
【主权项】:
一种新型纳米级Th‑MCF材料合成方法,其特征在于,以PluronicP123,白炭黑,苯,硝酸钍等原料通过超声波,磁力搅拌等操作手段制备出新型纳米级Th‑MCF材料。
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