[发明专利]相变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201710215955.2 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108666416B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;丁科元;成岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料Sb |
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| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元，其特征在于，包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1‑x层和单层化合物ScyTe1‑y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。
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