[发明专利]非分段GaN HEMT模型的建立方法

摘要

本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。

主权项

一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，其特征在于，包括以下步骤：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据电压控制电流源IDS得到所述非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据所述静态特性建立非分段静态特性模型；根据所述栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS得到所述非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据所述动态特性建立非分段动态特性模型；根据所述非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到所述非分段GaN HEMT模型。