[发明专利]晶片的生成方法

摘要

提供晶片的生成方法，能够从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法从SiC锭生成晶片，该晶片的生成方法包含第1改质层形成步骤和第2改质层形成步骤。在第1改质层形成步骤中，对锭照射具有第1功率的第1激光束而在锭的第1深度散在地形成第1改质层。在第2改质层形成步骤中，将具有比第1功率大的第2功率的第2激光束定位成使其聚光点位于比第1深度深的位置，进而将第2激光束定位成与第1改质层重叠，对晶片照射第2激光束而在第1深度的位置连续地形成第2改质层和从第2改质层沿着c面延伸的裂痕。

主权项

一种晶片的生成方法，从SiC锭生成晶片，该SiC锭具有第1面、位于该第1面的相反侧的第2面、从该第1面至该第2面的c轴以及与该c轴垂直的c面，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，将波长对于SiC锭具有透过性并且具有第1功率的第1激光束的第1聚光点定位在距离该第1面相当于要生成的晶片的厚度的第1深度，并且一边使该第1激光束的该第1聚光点在第1方向上相对地移动一边对该第1面照射该第1激光束，从而在该第1深度散在地形成与该第1面平行的第1改质层以使该第1改质层彼此不重叠，其中，该c轴相对于该第1面的垂线倾斜偏离角，该第1方向与在该第1面与该c面之间形成偏离角的第2方向垂直；第1转位步骤，使该第1聚光点在该第2方向上相对地移动而按照规定的量进行转位进给；第2改质层形成步骤，在实施了该第1改质层形成步骤和该第1转位步骤之后，将波长对于该锭具有透过性并且具有比该第1功率大的第2功率的第2激光束的第2聚光点定位在距离该第1面比该第1深度深的第2深度，并且将该第2激光束的束斑定位成与该第1改质层重叠，一边使该第2聚光点和该锭在该第1方向上相对地移动一边对该第1面照射该第2激光束，从而在该第1深度形成在与该第1面平行的该第1方向上延伸的直线状的第2改质层，并且形成从该第2改质层沿着该c面伸长的裂痕；第2转位步骤，使该第2聚光点在该第2方向上相对地移动而按照该规定的量进行转位进给；以及晶片剥离步骤，在实施了该第2改质层形成步骤和该第2转位步骤之后，从由该第2改质层和该裂痕构成的分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC锭剥离而生成SiC晶片。