[发明专利]一种光电半导体材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710216970.9 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106978180A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐源;冯范;李孟;贾丝雨;高阳阳 | 申请（专利权）人： | 南阳理工学院 |
| 主分类号： | C09K11/86 | 分类号： | C09K11/86 |
| 代理公司： | 北京彭丽芳知识产权代理有限公司11407 | 代理人： | 彭丽芳 |
| 地址： | 473004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电半导体材料的制备方法，包括如下步骤：按摩尔比Y3+:Eu3+:Gd3+＝93:4:3将Y(NO3)3溶液、Eu(NO3)3溶液和Gd(NO3)3溶液混合于锥形瓶中，加入L‑谷氨酸,在室温下磁力搅拌40min，得溶液A；按摩尔比n(RE3+)：n(Mo6+)＝1:1的比例将Na2MoO4溶于去离子水中，得溶液B；将溶液B逐滴加入到溶液A中，加入含氟类添加剂和碳酸钡溶液，室温下磁力搅拌60min后，移入反应釜中，在170℃的水热条件下反应12h，水洗、离心分离，在马弗炉里以600℃温度下烧6h。本发明大大提高了半导体材料的荧光强度，且所得材料具有较好的热稳定性、耐腐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、分别量取18.6份的质量分数为0.1mol/L的Y(NO3)3溶液、1.2份的质量分数为0.05mol/L的Eu(NO3)3溶液和1.2份质量分数为0.05mol/L的Gd(NO3)3溶液，按摩尔比Y3+:Eu3+:Gd3+＝93:4:3混合于锥形瓶中，加入0.6份L‑谷氨酸,在室温下磁力搅拌40min，得溶液A；S2、按摩尔比n(RE3+)：n(Mo6+)＝1:1的比例称取0.5份的Na2MoO4溶于一定量的去离子水中，得溶液B；S3、将溶液B逐滴加入到溶液A中，室温下磁力搅拌60min后，加入0.5‑2.5份含氟类添加剂、4.6‑5份的碳酸钡溶液，磁力搅拌40min；移入反应釜中，在170℃的水热条件下反应12h，水洗、离心分离，在马弗炉里以600℃温度下烧6h，即得半导体材料。
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