[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710217977.2 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695411B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;王宇 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/26 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述空穴注入层中含有2D TMDs/C复合材料，所述2D TMDs/C复合材料为碳修饰的2D TMDs材料，所述碳修饰的2D TMDs材料为碳基质与所述2D TMDs中硫属元素的外电子层作用形成的杂化结构。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 发光二极管 空穴注入层 复合材料 修饰 阴极 电子传输层 空穴传输层 阳极 硫属元素 依次层叠 电子层 发光层 碳基质 基板 杂化 制备 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其中，所述空穴注入层中含有2D TMDs/C复合材料，所述2D TMDs/C复合材料为碳修饰的2D TMDs材料，所述碳修饰的2D TMDs材料为碳基质与所述2D TMDs中硫属元素的外电子层作用形成的杂化结构，所述2D TMDs/C复合材料和所述2D TMDs材料中的2D TMDs为二维过渡金属硫属化物。/n
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