[发明专利]表膜有效
申请号: | 201710218250.6 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN107272327B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 丸山公幸;中原辰典;藤川尊 | 申请(专利权)人: | 旭化成株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种表膜。[课题]目的在于提供:FPD用途中使用分辨率2.0μm及以下的曝光机时使用的面积1000cm |
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搜索关键词: | 表膜 | ||
【主权项】:
一种表膜,其包含:具备面积1000cm2以上的俯视矩形的开口部的表膜用框体;位于该表膜用框体的一个端面的以覆盖所述开口部的方式张开而得到支撑的表膜用膜;以及位于所述表膜用框体的另一个端面的掩模粘合剂,所述表膜用膜的膜厚为1.0μm以上且3.0μm以下,所述表膜用膜面内的膜厚波动为80nm以下。
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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