[发明专利]一种LED晶圆快速退火炉的校温方法有效
申请号: | 201710220395.X | 申请日: | 2017-04-06 |
公开(公告)号: | CN107204290B | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 肖和平;刘阳;郭冠军;孙如剑;王宇;王宁;马祥柱;杨凯 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L33/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种LED晶圆快速退火炉的校温方法,属于半导体材料的生产技术领域,本发明在横向温场校准后另外增加纵向温场的校准,以保证LED晶圆在快速退火过程中平面与翘曲面温度基本一致,以确保退火的效果,很好地解决了因翘曲导致温场不一致的问题,使LED晶圆在平面与翘曲面均能形成良好的欧姆接触,从而提高LED晶圆,特别是4寸及以上LED晶圆的快速退火合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 快速 退火炉 方法 | ||
【主权项】:
1.一种LED晶圆快速退火炉的校温方法,其特征在于包括以下步骤:1)在快速退火炉的正方形石墨承片台上放置八个热电耦,所述八个热电耦分两组布置,每组四个,第一组的四个热电耦分别布置在承片台的4个角,第二组的四个热电耦分别布置在承片台的中心,且八个热电耦处于同一水平面;2)通过调整快速退火炉内不同位置的加热源的PID值,使得八个热电耦传感的任意两个温度之间的偏差小于±5℃;3)将第一组的四个热电耦分别垫高至距石墨承片台2.5mm处,再通过调整快速退火炉内不同位置的加热源的PID值,使得八个热电耦传感的任意两个温度之间的偏差小于±5℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造