[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710220403.0 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275395A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 铃木健司;高桥彻雄;金田充;上马场龙 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到一种能够实现泄漏电流的降低以及断开时的电压振荡的防止、并且改善短路耐量的半导体装置。IGBT具有p基极层(2)，其形成于n型硅衬底(1)的表面(第1主面)侧，与n型硅衬底(1)相比杂质浓度高；以及深n+缓冲层(8)及浅n+缓冲层(9)，它们形成于n型硅衬底(1)的背面(第2主面)侧，与n型硅衬底(1)相比杂质浓度高。深n+缓冲层(8)遍布n型硅衬底(1)的背面侧的整体而形成。浅n+缓冲层(9)选择性地形成于n型硅衬底(1)的背面侧。浅n+缓冲层(9)与深n+缓冲层(8)相比杂质浓度高，与深n+缓冲层(8)相比从背面起的深度浅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体衬底，其具有第1主面及第2主面；n型的第1半导体层，其形成于所述半导体衬底；p型的第2半导体层，其形成于所述第1半导体层的所述第1主面侧，与所述第1半导体层相比杂质浓度高；以及n型的第3半导体层及第4半导体层，它们形成于所述第1半导体层的所述第2主面侧，与所述第1半导体层相比杂质浓度高，所述第3半导体层遍布所述第1半导体层的所述第2主面侧的整体而形成，所述第4半导体层选择性地形成于所述第1半导体层的所述第2主面侧，所述第4半导体层与所述第3半导体层相比杂质浓度高，与所述第3半导体层相比从所述第2主面起的深度浅。
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