[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201710220931.6 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN108695384A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李宝国;陈容传;多新中;马勇 | 申请（专利权）人： | 北京华通芯电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 姚再英;魏嘉熹 |
| 地址： | 100097 北京市海淀区丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，衬底、沟道层、势垒层由下至上依次堆叠，源极和漏极分别形成在势垒层上表面的左右两端，栅极形成在源极和漏极之间且分别与源极和漏极间隔；多个保护层堆叠设置在源极和漏极之间的势垒层上表面且覆盖在栅极上；多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在钝化层上的屏蔽层，多个保护层中的屏蔽层从栅极的边缘自下而上逐渐趋近漏极；多个保护层中位于最下方的屏蔽层与栅极在垂直于势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。通过本公开的技术方案，可以在不增加高电子迁移率晶体管导通电阻的情况下提高其击穿电压，同时减少寄生输入电容和反馈电容。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 漏极 势垒层 源极 高电子迁移率晶体管 屏蔽层 上表面 钝化层 沟道层 衬底 寄生输入电容 导通电阻 堆叠设置 反馈电容 击穿电压 栅极形成 堆叠 投影 垂直 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，所述衬底、所述沟道层、所述势垒层由下至上依次堆叠，所述源极和所述漏极分别形成在所述势垒层上表面的左右两端，所述栅极形成在所述源极和所述漏极之间且分别与所述源极和所述漏极间隔；所述多个保护层堆叠设置在所述源极和所述漏极之间的所述势垒层的上表面且覆盖在所述栅极上；所述多个保护层中的每个保护层包括钝化层和形成在所述钝化层上的屏蔽层，所述多个保护层中的屏蔽层从所述栅极的边缘自下而上逐渐趋近所述漏极；所述多个保护层中位于最下方的屏蔽层与所述栅极在垂直于所述势垒层上表面方向上的投影至少部分重叠。
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