[发明专利]磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法有效
| 申请号： | 201710220991.8 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN108690962B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;张同文 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁控溅射设备，包括第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室均包括磁控管和偏置磁场装置；偏置磁场装置用于在各自承载基片的卡盘表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；磁控管包括磁性相反的内磁极和外磁极；第一腔室和第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相同，第一腔室和第二腔室的磁控管的产生的磁场方向相反；或者，第一腔室和第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相反，第一腔室和第二腔室的磁控管产生的磁场方向相同。该磁控溅射设备可以获得均匀性较好的面内各向异性的磁性薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 设备 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括第一腔室和第二腔室；所述第一腔室和所述第二腔室均包括磁控管和偏置磁场装置；所述偏置磁场装置用于在各自承载基片的卡盘表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；所述磁控管包括磁性相反的内磁极和外磁极；所述第一腔室和所述第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相同，所述磁控管产生的磁场方向相反；或者所述第一腔室和所述第二腔室的偏置磁场装置产生的水平磁场的磁场方向相反，所述磁控管产生的磁场方向相同。
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